Transistor STP110N8F6 MOSFET-N 80V 110A 200W TO-220

Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 80V
Id: corriente de drenaje continuo: 110A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 6.5mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.5V
Qg (carga de compuertas): 150nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd (disipación de potencia): 200W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: STripFET
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 48ns
Altura: 15.75mm
Longitud: 10.4mm
Anchura: 4.6mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 61ns
Serie: STP110N8F6
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 162ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 24ns
Peso unitario: 2gr