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Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 650V
Id: corriente de drenaje continuo: 34A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 88mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -25V, +25V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3V
Qg (carga de compuertas): 57nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 40W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MDmesh
Serie: STF40N60M2
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 13.5ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 96ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20.5ns
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 650V
Id: corriente de drenaje continuo: 34A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 88mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -25V, +25V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3V
Qg (carga de compuertas): 57nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 40W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MDmesh
Serie: STF40N60M2
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 13.5ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 96ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20.5ns
Peso unitario: 2gr