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Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V
Id (corriente de drenaje continuo): 7.5A
Rds encendido (resistencia drenaje-fuente): 550mOhms
Vgs (tensión compuerta-fuente): -25V, +25V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 13.5nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +150°C
Pd (disipación de potencia): 25W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MDmesh
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13.2ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 8ns
Serie: STFH10N60M2
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 32.5ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 8.8ns
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V
Id (corriente de drenaje continuo): 7.5A
Rds encendido (resistencia drenaje-fuente): 550mOhms
Vgs (tensión compuerta-fuente): -25V, +25V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 13.5nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +150°C
Pd (disipación de potencia): 25W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MDmesh
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13.2ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 8ns
Serie: STFH10N60M2
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 32.5ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 8.8ns
Peso unitario: 2gr