Fabricante: STMicroelectronics, Central Semiconductor, Multicomp Pro, SGS
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de propósito general para amplificación y conmutación
Subcategoría: Small Signal / Medium Power Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N1711 PBFREE (Central Semiconductor, versión libre de plomo)
Tipo: Silicon NPN Planar Epitaxial
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, TO-39-3, metal can de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 50V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 75V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 7V
Corriente de colector máxima (Ic): 500mA
Corriente de colector pico (Icm): 1A (pulso)
Potencia de disipación máxima (Pc): 800mW
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1.5V máx @ Ic=150mA, Ib=15mA
Ganancia de corriente (hFE): 100 a 300 @ Ic=150mA, Vce=10V (mínimo 40)
Frecuencia de transición (ft): 70MHz mín (100MHz según algunos fabricantes)
Figura de ruido (NF): 3.5dB máx
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 10nA máx @ Vcb=75V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores de alta fidelidad, osciladores, circuitos de conmutación, aplicaciones industriales, médicas, militares y aeroespaciales
País de origen: IN (India) , varía según fabricante
Peso unitario: 1.13g a 4.54g
Notas importantes:
• El 2N1711 es un transistor NPN de propósito general encapsulado en TO-39 (metal can), diseñado para aplicaciones de amplificación de alto rendimiento, osciladores y circuitos de conmutación
• Configuración de pines en TO-39: Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector (la carcasa metálica está conectada internamente al colector)
• La potencia máxima de disipación es de 800mW según la mayoría de los fabricantes, aunque algunas fuentes especifican 3W para versiones con disipador adecuado
• Discrepancia en potencia de disipación: La mayoría de los fabricantes (STMicroelectronics, Central Semiconductor, Multicomp Pro) especifican 800mW. Farnell (Multicomp Pro) indica 3W, probablemente bajo condiciones de case (Tc=25°C) con disipador térmico. Se recomienda tomar 800mW como referencia estándar
• La frecuencia de transición varía según fabricante: Central Semiconductor y Newark especifican 70MHz , mientras que STMicroelectronics y Utmel indican 100MHz
• El transistor está disponible en formato bare die (dado desnudo) para ensamblaje en circuitos híbridos thick/thin-film en aplicaciones industriales, médicas, militares y aeroespaciales, con metalización posterior de oro
• Existen versiones calificadas para alta confiabilidad con respaldo de oro, adecuadas para aplicaciones espaciales bajo calificación adicional
• Estado del producto: Obsoleto (Obsolete) según STMicroelectronics y otras fuentes, pero disponible en stock remanente en distribuidores como Mouser (663 unidades) y Newark . Central Semiconductor produce la versión libre de plomo 2N1711 PBFREE
• Aplicaciones típicas:
• Amplificadores de audio de alta fidelidad
• Circuitos osciladores
• Conmutación de propósito general
• Equipos industriales, médicos y militares
• Circuitos híbridos thick/thin-film
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica como 2N1711 PBFREE de Central Semiconductor
• Reemplazos recomendados: Si no se encuentra disponible, se puede reemplazar por 2N3019, 2N3107 o 2SC503
