Transistor 2N2108 NPN 60V 500mA 1W TO-5

Fabricante: Microchip Technology, New Jersey Semiconductor, Central Semiconductor
Categoria: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de proposito general
Subcategoria: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N2108
Tipo: Silicon NPN Bipolar Junction Transistor
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-5 (TO-205AA, metal can de 3 pines)
Tension colector-base maxima (Vcbo): 66V
Tension colector-emisor maxima (Vceo): 60V
Tension emisor-base maxima (Vebo): 8V
Corriente de colector maxima (Ic): 500mA
Potencia de disipacion maxima (Pc): 1W
Tension de saturacion colector-emisor (Vce(sat)): 2V @ Ic=200µA, Ib=10µA
Ganancia de corriente (hFE): No especificada en datasheets (varia segun fabricante)
Frecuencia de transicion (ft): No especificada
Corriente de fuga colector (Icbo): No especificada
Temperatura de operacion (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicacion principal: Amplificadores de proposito general, conmutacion, aplicaciones militares/aeroespaciales por su rango de temperatura extendido
Pais de origen: US (Microchip), varia segun fabricante
Peso unitario: ~1.5g (aprox)