Transistor WML04N60C2 IGBT-N 600V 3A 20W TO-220F

Transistor WML04N60C2 IGBT-N 600V 3A 20W TO-220F

TRWML04N60
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Transistor WML04N60C2 IGBT-N 600V 3A 20W TO-220F
 
Fabricante: Wayon
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: Through Hole 
Empaquetado / Estuche: TO-220F-3 
Polaridad de transistor: N-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V 
Id: corriente de drenaje continuo: 3A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 1.7Ohms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -30V, +30V 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +150ºC 
Pd (disipación de potencia): 20W 
Modo canal: Enhancement 
Nombre comercial: CoolMOS 
Marca: Wayon 
Configuración: Single 
Tiempo de caída: 18ns 
Tipo de producto: MOSFETs 
Tiempo de establecimiento: 12ns 
Serie: CoolMOS C2
Subcategoría: Transistors 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Tiempo típico de retraso de apagado: 32ns 
Tiempo de retardo de conexión típico: 12ns 
Altura: 15.65mm 
Longitud: 10mm 
Anchura: 4.4mm 
Peso unitario: 2gr
Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
3A
Polaridad del Transistor
Canal N
Potencia de Trabajo
20W
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Tipo de transistor
MOSFET
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
600V
Encapsulado
TO-220F
Número de patillas
3

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