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Fabricante: Vishay Semiconductors
Categoría: MOSFET
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Silicio
Serie: IRF
Tipo: N-Channel Enhancement Mode Single
Configuración: 1 Channel Single
Montaje: SMD/SMT
Encapsulado: D2PAK-3 (TO-263-3)
Tensión drenador-fuente (Vds): 250V
Corriente de drenaje continuo (Id): 14A
Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 280mOhms
Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 2V
Carga de compuerta (Qg): 68nC
Transconductancia (gfs): 6.7S mín
Disipación de potencia (Pd): 125W
Tiempo de establecimiento (tr): 24ns
Tiempo de caída (tf): 49ns
Tiempo de retardo conexión (td(on)): 11ns
Tiempo de retardo apagado (td(off)): 53ns
Temperatura operativa: -55°C a +150°C
Dimensiones: 10.67mm x 9.65mm x 4.83mm
Peso: 4gr
Categoría: MOSFET
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Silicio
Serie: IRF
Tipo: N-Channel Enhancement Mode Single
Configuración: 1 Channel Single
Montaje: SMD/SMT
Encapsulado: D2PAK-3 (TO-263-3)
Tensión drenador-fuente (Vds): 250V
Corriente de drenaje continuo (Id): 14A
Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 280mOhms
Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 2V
Carga de compuerta (Qg): 68nC
Transconductancia (gfs): 6.7S mín
Disipación de potencia (Pd): 125W
Tiempo de establecimiento (tr): 24ns
Tiempo de caída (tf): 49ns
Tiempo de retardo conexión (td(on)): 11ns
Tiempo de retardo apagado (td(off)): 53ns
Temperatura operativa: -55°C a +150°C
Dimensiones: 10.67mm x 9.65mm x 4.83mm
Peso: 4gr
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