Fabricante: Microsemi (Microchip), Solid State, Philips (NXP), STMicroelectronics
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de RF
Tipo de producto: Transistor NPN de potencia para VHF/UHF
Subcategoría: RF Power Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N3866A (versión mejorada hasta 800MHz)
Tipo: Silicon NPN Planar Epitaxial Overlay
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines, colector conectado a la carcasa)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 30V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 55V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 4V
Corriente de colector máxima (Ic): 400mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 5W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 25°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1V máx @ Ic=100mA, Ib=20mA
Ganancia de corriente (hFE): 10 a 200 @ Ic=50mA, Vce=5V (mínimo 10)
Frecuencia de transición (ft): 800MHz típica (500MHz en algunas versiones)
Capacitancia de salida (Cob): 4pF típico @ Vcb=10V
Corriente de fuga colector (Iceo): 20µA máx @ Vce=28V
Rendimiento RF (400MHz, Vce=28V): Potencia de salida 1W, Ganancia >10dB, Eficiencia >45%
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores clase A, B o C en VHF/UHF, multiplicadores de frecuencia, osciladores, etapas de salida, driver o pre-driver en equipos de comunicación militar e industrial
País de origen: US (Microsemi/Microchip), NL (Philips), varía según fabricante
Peso unitario: 1.06g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3866 es un transistor de RF diseñado específicamente para aplicaciones de VHF y UHF, con una frecuencia de transición de hasta 800MHz que lo hace adecuado hasta 400MHz en aplicaciones de potencia
• Existe una versión mejorada llamada 2N3866A que ofrece un rendimiento optimizado hasta 800MHz y mayor ganancia (hFE mínimo 25 frente a 15 en algunas especificaciones)
• Configuración de pines en TO-39: Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector (la carcasa metálica está conectada internamente al colector)
• La potencia máxima de disipación es de 5W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico adecuado para alcanzar este valor
• Según el datasheet de Solid State, el rendimiento típico en RF a 400MHz es: 1W de potencia de salida con ganancia >10dB y eficiencia >45%
• El encapsulado es hermético, con base de Kovar y tapa de níquel, lo que lo hace adecuado para aplicaciones militares y aeroespaciales
• Existen versiones calificadas bajo especificaciones militares con prefijos JAN, JANTX, JANTXV y JANS para alta confiabilidad
• Este dispositivo utiliza tecnología de epitaxia planar overlay, optimizada para altas frecuencias y manejo de potencia en RF
• La corriente de fuga extremadamente baja (20µA) y el amplio rango de temperatura (-65°C a +200°C) lo hacen adecuado para entornos exigentes
• El complementario PNP de este transistor no está especificado; para aplicaciones push-pull se recomienda consultar el 2N3867 (versión PNP similar)
