Fabricante: onsemi (Fairchild), Central Semiconductor, Rochester Electronics
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: JFET de canal P para amplificación de propósito general
Subcategoría: Small Signal JFET
Serie: -
Alias de parte: 2N3820_D26Z (versión en cinta y carrete)
Tipo: Silicon P-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) - Modo Depleción
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 20V
Tensión drenador-puerta máxima (Vdg): 20V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): 20V (inversa, hasta -20V)
Corriente de drenador continua máxima (Id): 7.65mA a 15mA según fabricante
Potencia de disipación máxima (Pd): 350mW
Tensión de corte puerta-fuente (Vgs(off)): 8V máx @ Id=10µA
Corriente de drenador con puerta en corto (Idss): 300µA @ Vds=10V
Capacitancia de entrada (Ciss): 32pF @ Vds=10V
Transconductancia directa (gfs): 1500µS a 3000µS (1.5mA/V a 3mA/V)
Corriente de fuga puerta (Igss): No especificada (típicamente < 1nA)
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de propósito general, etapas de entrada de alta impedancia, circuitos de muestreo y retención, conmutación analógica, circuitos de instrumentación
País de origen: US, CN, MY (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3820 es un JFET de canal P de modo depleción, diseñado para aplicaciones de amplificación de propósito general, con una tensión de corte de hasta 8V
• A diferencia del 2N3819 (canal N), este dispositivo es de canal P, lo que significa que conduce cuando la tensión puerta-fuente es cero y se corta aplicando una tensión positiva en la puerta (para canal P)
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): El pinout puede variar según el fabricante; se recomienda verificar el datasheet específico
• La corriente de drenador máxima varía según el fabricante:
• Rochester Electronics especifica 7.65mA de corriente continua
• Otras fuentes indican valores entre 10mA y 15mA de corriente de drenador
• La potencia de disipación máxima es de 350mW a 25°C de temperatura ambiente
• La corriente Idss (con puerta en corto) es de 300µA típico, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de baja corriente y alta impedancia
• Este dispositivo está en estado Obsoleto (Obsolete) según onsemi, pero sigue disponible a través de distribuidores como Rochester Electronics
• Equivalentes y reemplazos:
• LS4393 es un equivalente directo según Linear Integrated Systems
• 2N5460/2N5461/2N5462 son equivalentes con diferente rango de Idss
• J176 y J270 son alternativas modernas de onsemi, aunque con diferente pinout
• NTE326 es el equivalente genérico recomendado por NTE Electronics
• Nota importante: Los JFET de canal P son cada vez más difíciles de encontrar en encapsulado Through Hole. Para nuevos diseños, se recomienda considerar alternativas modernas o la serie J17x de onsemi (J174, J175, J176)
• El complementario NPN de canal N de este dispositivo es el 2N3819, que tiene características eléctricas simétricas pero polaridad opuesta
• Este JFET es ideal para aplicaciones de conmutación analógica y amplificadores de instrumentación debido a su alta impedancia de entrada y baja corriente de fuga
