Fabricante: ON Semiconductor, Fairchild, Vishay, Central Semiconductor, NXP
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: JFET de canal N para RF
Subcategoría: Amplificadores VHF/UHF
Serie: -
Alias de parte: 2N3819
Tipo: Silicon N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) - Modo Depleción
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 25V
Tensión drenador-puerta máxima (Vdg): 25V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): 25V (inversa, hasta -25V)
Corriente de drenador máxima (Id): 20mA a 100mA según fabricantes (50mA típico)
Corriente de puerta directa máxima (Igf): 10mA
Potencia de disipación máxima (Pd): 350mW (360mW en algunos fabricantes)
Tensión de corte puerta-fuente (Vgs(off)): -8V máx @ Id=10nA
Corriente de drenador con puerta en corto (Idss): 2mA a 20mA (típico 10mA)
Frecuencia de corte (ft): 700MHz
Ganancia de potencia (Gps): 11dB @ 400MHz
Ganancia de voltaje (Av): 60 @ 100µA
Factor de ruido (NF): 3dB @ 400MHz
Capacitancia de entrada (Ciss): 8pF máx
Capacitancia de realimentación (Crss): 4pF máx
Transconductancia directa (gfs): 2000µS a 6500µS (2mA/V a 6.5mA/V)
Corriente de fuga puerta (Igss): 10nA máx @ Vgs=25V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores VHF/UHF, mezcladores de RF, osciladores, circuitos de muestreo y retención (sample-and-hold), conmutación de baja capacitancia, amplificadores de bajo ruido, equipos de recepción y transmisión de RF
País de origen: US, CN, MY, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3819 es un JFET de canal N de modo depleción, diseñado específicamente para aplicaciones de RF en bandas VHF y UHF, con una frecuencia de corte de 700MHz y ganancia de potencia de 11dB a 400MHz
• Este dispositivo destaca por su muy bajo nivel de ruido (3dB a 400MHz) y baja distorsión, lo que lo hace ideal para etapas de entrada en receptores de RF y amplificadores de señal débil
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Fuente (Source), Pin 2 = Puerta (Gate), Pin 3 = Drenador (Drain) [cita requerida]
• A diferencia de los transistores bipolares, el JFET opera en modo depleción, lo que significa que conduce cuando la tensión puerta-fuente es cero y se corta aplicando una tensión negativa en la puerta (para canal N)
• La corriente de drenador máxima varía según el fabricante:
• ON Semiconductor y Fairchild especifican 50mA de corriente continua
• Central Semiconductor y otras fuentes indican 100mA de corriente de drenador
• Algunos distribuidores listan valores entre 20mA y 50mA dependiendo de la versión
• La potencia de disipación máxima es de 350mW a 25°C de temperatura ambiente, con un factor de degradación de 2.8mW/°C por encima de 25°C
• Este JFET es ideal para aplicaciones de conmutación de baja capacitancia gracias a su baja capacitancia de entrada (8pF) y de realimentación (4pF)
• El 2N3819 está disponible en versiones para montaje superficial bajo las nomenclaturas 2N4416 (TO-206AF / TO-72) y SST4416 (SOT-23)
• Existen versiones calificadas para aplicaciones automotrices y militares (JAN, JANTX) con especificaciones mejoradas de temperatura y confiabilidad
• Aunque algunos fabricantes (como ON Semiconductor) han declarado este componente como obsoleto, sigue estando disponible a través de distribuidores como Rochester Electronics y fabricantes como Central Semiconductor y Vishay
• Importante: Al reemplazar este componente, verificar siempre la configuración de pines, ya que algunos equivalentes como BF244 o BF245 pueden tener diferente orden de pines
• No debe excederse la corriente máxima de puerta de 10mA, ya que esto puede dañar permanentemente la unión metal-silicio del JFET
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