Fabricante: Toshiba (original), también por New Jersey Semiconductor, Inchange Semiconductor
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel
Subcategoría: High Power Switching MOSFET
Serie: pi-MOS II.5
Alias de parte: 2SK1358
Tipo: Silicon N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Configuración: Single
Tecnología: Silicio (pi-MOS II.5)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3PN (TO-3P, 3 pines con pestaña colector)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 900V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±30V
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 3.5V máx
Corriente de drenador máxima (Id): 9A
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 1.4Ω máx @ Vgs=10V, Id=4A
Potencia de disipación máxima (Pd): 150W
Capacitancia de entrada (Ciss): 1300pF típica @ Vds=25V
Carga de puerta total (Qg): 120nC típica @ Vgs=10V
Tiempo de subida (tr): 25ns típico
Tiempo de caída (tf): 20ns típico
Corriente de fuga drenador-fuente (Idss): 300µA máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta tensión, convertidores DC-DC, drivers de relé, control de motores, aplicaciones de conmutación de alta potencia
País de origen: JP (Japón - Toshiba original)
Peso unitario: 4.6g
Notas importantes:
• El 2SK1358 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado por Toshiba utilizando la tecnología pi-MOS II.5, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta corriente.
• Configuración de pines en TO-3PN (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source). La pestaña metálica está conectada internamente al drenador.
• La potencia máxima de disipación es de 150W a 25°C de temperatura de case, requiriendo un disipador térmico adecuado para alcanzar este valor.
• Este componente es adecuado para aplicaciones que requieren alta tensión (hasta 900V) con corrientes moderadas de hasta 9A.
• Estado del producto: Obsoleto (Obsolete) según Toshiba y múltiples distribuidores . Sin embargo, sigue disponible como stock remanente a través de distribuidores especializados y fabricantes alternativos como New Jersey Semiconductor e Inchange Semiconductor.
• El encapsulado TO-3PN (también conocido como TO-247) permite el montaje con disipador mediante un único tornillo.
• La alta tensión de ruptura de 900V lo hace ideal para aplicaciones off-line y fuentes de alimentación conmutadas de alta tensión.
• No contiene recubrimiento conforme (conformal coating), lo que puede limitar su uso en entornos con humedad excesiva o contaminación sin protección adicional.
• Aunque el componente no es compatible con RoHS en su versión original (terminales con plomo), existen versiones alternativas de otros fabricantes que pueden cumplir con la normativa.
