Transistor SPD08P06P MOSFET-P 60V 8,8A 42W TO-252

Fabricante: Infineon 
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: SMD/SMT 
Empaquetado / Estuche: DPAK-3 (TO-252-3) 
Polaridad de transistor: P-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 60V 
Id: corriente de drenaje continuo: 8.83A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 230mOhms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V 
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V 
Qg (carga de compuertas): 13nC 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +175ºC 
Pd (disipación de potencia): 42W 
Modo canal: Enhancement 
Cualificación: AEC-Q100 
Nombre comercial: SIPMOS 
Serie: SPD08P06 
Marca: Infineon Technologies 
Configuración: Single 
Tiempo de caída: 14ns 
Transconductancia delantera: mín.: 2.5S 
Tipo de producto: MOSFETs 
Tiempo de establecimiento: 46ns 
Subcategoría: Transistors 
Tipo de transistor: 1 P-Channel 
Tiempo típico de retraso de apagado: 48ns 
Tiempo de retardo de conexión típico: 16ns 
Altura: 2.3mm 
Longitud: 6.5mm 
Anchura: 6.22mm 
Alias de parte #: SPD8P6PGXT, SP000450534, SPD08P06PGBTMA1 
Peso unitario: 330mg