Fabricante: Central Semiconductor, Fairchild, Microsemi, STMicroelectronics
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de RF
Tipo de producto: Transistor NPN de alta frecuencia para pequeña señal
Subcategoría: RF Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N918 PBFREE (versión libre de plomo)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-72 (TO-206AF, TO-72-4, metal can de 4 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 15V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 30V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 3V
Corriente de colector máxima (Ic): 50mA
Potencia de disipación máxima (Pd): 200mW a 300mW según fabricante
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): No especificada
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 0.4V máx @ Ic=10mA, Ib=1mA
Ganancia de corriente (hFE): 20 a 50 @ Ic=3mA, Vce=1V
Frecuencia de transición (ft): 600MHz
Capacitancia de salida (Cob): No especificada
Corriente de fuga colector-base (Icbo): No especificada
Figura de ruido (NF): 6dB @ 60kHz
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores VHF de bajo ruido, osciladores hasta 1GHz, amplificadores de FI no neutralizados, circuitos no saturantes con tiempos de subida y bajada <2.5ns, aplicaciones militares y aeroespaciales
País de origen: US (Central Semiconductor)
Peso unitario: 0.2g a 0.3g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N918 es un transistor NPN de RF diseñado específicamente para aplicaciones de bajo ruido en VHF, con una frecuencia de transición de 600MHz que lo hace adecuado para osciladores hasta 1GHz
• El encapsulado TO-72 es una versión más pequeña del TO-18, con configuración de 4 pines (el cuarto pin suele ser un terminal de blindaje conectado a la carcasa metálica)
• Existen versiones calificadas para aplicaciones de alta confiabilidad en las industrias industrial, médica, militar y aeroespacial, con respaldo de oro en la metalización posterior
• Estado del producto: Activo (Active) en Central Semiconductor, con la versión libre de plomo 2N918 PBFREE disponible
• La versión en montaje superficial está disponible como MMBT918 (SOT-23) y CMPT918 (SOT-23)
• Discrepancia en potencia de disipación:
• Central Semiconductor y Alldatasheet especifican 200mW
• Otras fuentes (Newton C. Braga) indican 300mW
• Se recomienda verificar la hoja de datos del fabricante específico para la versión utilizada
• El complementario PNP sugerido es el 2N4209 o el 2N5771
• Aplicaciones típicas:
• Amplificadores de RF de baja señal en VHF
• Osciladores de alta frecuencia (hasta 1GHz)
• Amplificadores de FI en receptores de radio
• Circuitos de conmutación no saturantes de alta velocidad
• Aplicaciones militares y aeroespaciales de alta confiabilidad
• Este transistor está diseñado para operar en circuitos no saturantes, con tiempos de subida y bajada inferiores a 2.5ns
• Precaución: La corriente máxima de colector es de solo 50mA, por lo que no es adecuado para aplicaciones de potencia
