Fabricante: Toshiba
Categoría: MOSFET
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tecnología: U-MOSVIII-H
Tipo: N-Channel Enhancement Mode
Configuración: Single
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220-3
Especificaciones Eléctricas:
• Tensión drenador-fuente (Vdss): 100V
• Corriente de drenaje continuo (Id): 100A - 207A (Tc=25°C)
• Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 2.8mO - 3.4mO típ
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4V @ 1.0mA
• Carga de compuerta (Qg): 140nC @ 10V
• Capacitancia de entrada (Ciss): 8800pF @ 50V
• Disipación de potencia (Pd): 255W
• Temperatura operativa (Tj): 150°C máx
Especificaciones Mecánicas:
• Peso: Aprox. 2.68g
Características Especiales: Diseñado para rectificación síncrona en fuentes conmutadas
