Fabricante: Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier)
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel
Subcategoría: HEXFET® Power MOSFET
Serie: HEXFET®
Alias de parte: IRF1010N, SP001563032, IRF 1010 N PBF
Descripción: MOSFET de potencia N-Channel con tecnología de proceso avanzada para ultra baja resistencia en conducción
Configuración: Single con diodo de cuerpo integrado
Tecnología: MOSFET de óxido metálico (Metal-Oxide)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220AB (TO-220-3)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 55V
Corriente de drenador continua máxima (Id): 85A (Tc=25°C)
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 11mO máx @ Vgs=10V, Id=43A
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 4V máx @ Id=250µA
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±20V
Potencia de disipación máxima (Pd): 180W
Capacitancia de entrada (Ciss): 3210pF @ Vds=25V
Capacitancia de salida (Coss): No especificada
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 140pF
Carga de puerta total (Qg): 120nC @ Vgs=10V
Tiempo de subida (tr): 76ns
Tiempo de caída (tf): 48ns
Tiempo de retardo encendido (td(on)): 13ns
Tiempo de retardo apagado (td(off)): 39ns
Corriente de drenador pulsada máxima (Idm): 290A
Energía de avalancha (Eas): 250mJ
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Convertidores DC-DC de alta eficiencia, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), control de motores, sistemas industriales, aplicaciones automotrices y comerciales
País de origen: US, CN, MY
Peso unitario: 2.66g
Notas importantes:
• El IRF1010NPBF es un MOSFET de potencia N-Channel de la reconocida serie HEXFET de Infineon, caracterizado por su tecnología avanzada que ofrece una resistencia en conducción extremadamente baja (11mO) y alta velocidad de conmutación.
• El sufijo "PBF" indica que el componente es libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS. La versión sin el sufijo "PBF" (IRF1010N) es eléctricamente idéntica pero con terminales que contienen plomo.
• Configuración de pines en TO-220AB (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source). La pestaña metálica está conectada internamente al drenador.
• El componente está calificado para operar a altas temperaturas de hasta 175°C de juntura, con una potencia de disipación máxima de 180W en condiciones adecuadas de montaje con disipador térmico.
• Estado del producto: Según múltiples fuentes, el IRF1010NPBF está en estado Obsoleto (Obsolete/End of Life), con un lead time estimado de hasta 111 semanas en algunos distribuidores. Infineon ya no recomienda este componente para nuevos diseños.
• Equivalentes directos recomendados: Para nuevos diseños se recomienda considerar:
• IRF3205PBF: MOSFET similar (55V, 110A, 8mO, TO-220AB), mayor capacidad de corriente y menor resistencia .
• IRF1010EZPBF: Versión mejorada con 60V, 84A, 6.8mO, TO-220AB.
• Texas Instruments CSD18534KCS: Alternativa con 60V y 9.5mO en TO-220.
• Característica de avalancha: El dispositivo está clasificado para avalancha completa (Fully Avalanche Rated), con una capacidad de energía de avalancha de 250mJ, lo que permite cierto nivel de picos de tensión sin daño.
• El dispositivo incorpora un diodo de cuerpo (body diode) con tiempo de recuperación inversa de 100ns.
• Aplicaciones típicas: sistemas de control industrial, convertidores DC-DC, balastos electrónicos, fuentes de alimentación conmutadas y control de motores.
