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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 40V
Id: corriente de drenaje continuo: 202A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 4mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 160nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 333W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 40V
Id: corriente de drenaje continuo: 202A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 4mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 160nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 333W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Peso unitario: 2gr
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