Your cart
No hay más artículos en su carrito
- Nuevo
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 40V
Id: corriente de drenaje continuo: 180A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 2.7mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 100nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 200W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 58ns
Transconductancia delantera: mín.: 170S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 110ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 36ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 18ns
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 40V
Id: corriente de drenaje continuo: 180A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 2.7mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 100nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 200W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 58ns
Transconductancia delantera: mín.: 170S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 110ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 36ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 18ns
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Peso unitario: 2gr
También podría interesarle