Transistor IRF1404Zpbf MOSFET-N 40V 190A 200W TO-220

Fabricante: Infineon 
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: Through Hole 
Empaquetado / Estuche: TO-220-3 
Polaridad de transistor: N-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 40V 
Id: corriente de drenaje continuo: 180A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 2.7mOhms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V 
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V 
Qg (carga de compuertas): 100nC 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +175ºC 
Pd (disipación de potencia): 200W 
Modo canal: Enhancement 
Marca: Infineon Technologies 
Configuración: Single 
Tiempo de caída: 58ns 
Transconductancia delantera: mín.: 170S 
Tipo de producto: MOSFETs 
Tiempo de establecimiento: 110ns 
Subcategoría: Transistors 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Tiempo típico de retraso de apagado: 36ns 
Tiempo de retardo de conexión típico: 18ns 
Altura: 15.65mm 
Longitud: 10mm 
Anchura: 4.4mm 
Peso unitario: 2gr