Fabricante: ON Semiconductor, Philips, STMicroelectronics, Texas Instruments
Categoria: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de conmutacion de alta velocidad
Subcategoria: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N2219
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines)
Tension colector-base maxima (Vcbo): 75V
Tension colector-emisor maxima (Vceo): 30V (2N2219) / 50V (2N2219A)
Tension emisor-base maxima (Vebo): 6V
Corriente de colector maxima (Ic): 800mA
Potencia de disipacion maxima (Pc): 800mW (3W con disipador adecuado)
Tension de saturacion colector-emisor (Vce(sat)): 1.6V max @ Ib=50mA, Ic=500mA (1V en algunas versiones)
Ganancia de corriente (hFE): 35 a 100 @ Ic=150mA, Vce=10V (min 50 tipico)
Frecuencia de transicion (ft): 250MHz a 300MHz
Corriente de fuga colector (Icbo): 10nA max @ Vcb=50V
Tiempo de encendido (ton): 40ns
Tiempo de apagado (toff): 250ns
Temperatura de operacion (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicacion principal: Conmutacion de alta velocidad, amplificadores RF, circuitos de proposito general, driver de reles y LEDs
Pais de origen: US, CN (varia segun fabricante)
Peso unitario: 1.5g a 4.5g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N2219 es el hermano de mayor potencia del popular 2N2222, ambos con características eléctricas similares pero con mayor disipación de potencia (800mW vs 500mW) gracias al encapsulado TO-39
• Existe una versión mejorada llamada 2N2219A que ofrece una tensión colector-emisor máxima de 50V (frente a los 30V del 2N2219 estándar), siendo el sustituto preferido en muchas aplicaciones
• Configuración de pines en TO-39: Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector (la carcasa metálica está conectada internamente al colector)
• El complementario PNP es el 2N2905 (TO-39), formando un par ampliamente utilizado en circuitos push-pull y amplificadores diferenciales
• Este transistor está calificado para aplicaciones militares bajo las designaciones JAN2N2219, JANTX2N2219 y JANTXV2N2219
• La versión en encapsulado TO-92 está disponible bajo la nomenclatura PN2219 o MPS2219
• La frecuencia de transición de 250MHz lo hace adecuado para aplicaciones de RF hasta VHF
• La potencia máxima de disipación es de 800mW a 25°C de temperatura ambiente (sin disipador), pero puede alcanzar hasta 3W cuando se monta con un disipador térmico adecuado y se mantiene la temperatura de case a 25°C
• Este transistor es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad gracias a sus tiempos de encendido/apagado rápidos (40ns/250ns)
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