Fabricante: STMicroelectronics, ON Semiconductor, Fairchild, Motorola, UTC
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor NPN de potencia para conmutación y amplificación
Subcategoría: Power Switching / General Purpose Amplifier
Serie: -
Alias de parte: MJE3055TG (versión libre de plomo), MJE3055T
Tipo: Silicon NPN Epitaxial-Base
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220 (TO-220-3, TO-220AB)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 60V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 70V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 5V
Corriente de colector máxima (Ic): 10A
Corriente de base máxima (Ib): 6A
Potencia de disipación máxima (Pc): 75W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): No especificada
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 8V máx @ Ic=3.3A, Ib=400mA
Ganancia de corriente (hFE): 20 a 100 @ Ic=4A, Vce=4V (mínimo 20)
Frecuencia de transición (ft): 2MHz mín
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 700µA máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Circuitos de conmutación de potencia, amplificadores de propósito general, reguladores de tensión, sistemas de audio, control de motores
País de origen: US, MY, CN (varía según fabricante y lote)
Peso unitario: 1.8g a 2.0g (aprox)
Notas importantes:
• El MJE3055T es el complementario NPN del MJE2955T (PNP), formando un par ampliamente utilizado en amplificadores de potencia push-pull y etapas de salida de audio
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica como MJE3055TG
• Configuración de pines en TO-220 (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector (conectado a la pestaña metálica), Pin 3 = Emisor
• Estado del producto: STMicroelectronics lo lista como "Preferred Salestype" , lo que indica que es un componente recomendado y activo. ON Semiconductor también lo tiene en su catálogo activo
• La potencia máxima de disipación de 75W se alcanza con la temperatura de case (Tc) a 25°C, requiriendo un disipador térmico adecuado para aplicaciones de alta potencia
• La frecuencia de transición de 2MHz lo hace adecuado para aplicaciones de audio y conmutación de baja frecuencia
• Existen versiones en montaje superficial con encapsulado DPAK bajo la designación MJD3055T
• Este transistor es un reemplazo moderno y mejorado del clásico 2N3055, ofreciendo mayor capacidad de corriente (10A vs 15A) en un encapsulado TO-220 más compacto y fácil de montar
• Precaución: La corriente de fuga máxima es de 700µA, por lo que se recomienda operar dentro de los límites especificados para evitar fugas excesivas en aplicaciones de alta temperatura
• El producto es adecuado para aplicaciones industriales, de consumo y automotrices gracias a su robustez y disponibilidad en múltiples fabricantes
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