Fabricante: onsemi
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia P-Channel
Subcategoría: Power MOSFET
Serie: NTP2955
Alias de parte: NTP2955G
Descripción: Power MOSFET -60V -12A Single P-Channel
Configuración: Single con diodo de cuerpo integrado
Tecnología: MOSFET de óxido metálico (MOSFET)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220AB (TO-220-3)
Canal: P-Channel
Modo de operación: Enhancement Mode
Tensión drenador-fuente máxima (Vdss): -60V
Corriente de drenador continua máxima (Id): 12A
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 196mO máx @ Vgs=10V, Id=12A
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 4V máx @ Id=250µA
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±20V
Potencia de disipación máxima (Pd): 62.5W (Tc=25°C) / 2.4W (Ta=25°C)
Capacitancia de entrada (Ciss): 700pF @ Vds=25V
Carga de puerta total (Qg): 14nC @ Vgs=10V
Tiempo de retardo encendido (td(on)): 10ns
Tiempo de subida (tr): 41ns
Tiempo de retardo apagado (td(off)): 27ns
Tiempo de caída (tf): 45ns
Temperatura de operación (Tj): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Fuentes de alimentación conmutadas, reguladores de potencia, control de motores DC, protección de baterías, circuitos de conmutación de propósito general
País de origen: CN, MY (según fabricante)
Peso unitario: 1.95g (0.0688 oz)
Notas importantes:
• El NTP2955G es un MOSFET de potencia de canal P (P-Channel) fabricado por onsemi, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de corriente moderada.
• Configuración de pines en TO-220AB (vista frontal con la pestaña metálica hacia arriba): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source). La pestaña metálica está conectada internamente al drenador.
• Este MOSFET es de tipo P-Channel, lo que significa que requiere una tensión negativa en la puerta (Vgs) para activarse. No es compatible directo con MOSFETs N-Channel sin modificar el circuito.
• El sufijo "G" indica que el componente es libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS.
• El equivalente más directo y ampliamente disponible es el IRF9Z34PBF de Vishay, con el mismo encapsulado TO-220AB y características eléctricas muy similares. La versión IRFI9Z34GPBF de Infineon es otra alternativa, aunque tiene menor disipación de potencia.
• Según múltiples fuentes, el NTP2955G está en estado "Obsoleto" (Obsolete) o "No recomendado para nuevos diseños", aunque todavía puede encontrarse stock en distribuidores.
• El fabricante ha especificado una corriente de drenador de 12A, pero también indica una corriente inferior de 2.4A en condiciones de temperatura ambiente sin disipador (Ta=25°C) . Para aplicaciones continuas a alta corriente, se requiere un disipador térmico adecuado.
• Tecnología avanzada de MOSFET ofrece baja resistencia en conducción (196mO) y carga de puerta reducida (14nC), lo que minimiza las pérdidas por conmutación.
• Aplicaciones típicas: circuitos de conmutación de potencia, protección de baterías, reguladores de tensión, control de motores DC y fuentes de alimentación.
