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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-251-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 150V
Id (Corriente de drenaje continuo): 33A
Rds encendido (Drenaje de la fuente en resistencia): 34mOhms
Vgs (Tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (Tensión umbral compuerta-fuente): 1.8V
Qg (Carga de compuertas): 26nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd (Disipación de potencia): 144W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Altura: 6.22mm
Longitud: 6.73mm
Anchura: 2.38mm
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Peso unitario: 340mg
Descatalogado: Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.