Transistor NTD18N06LT4G MOSFET-N 60V 18A 55W TO-252

Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: SMD/SMT
Empaquetado / Estuche: DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 60V
Id: corriente de drenaje continuo: 18A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 65mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -5V, +5V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 1V
Qg (carga de compuertas): 11nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd (disipación de potencia): 55W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 38ns
Transconductancia directa: mín.: 13.5S
Altura: 2.38mm
Longitud: 6.73mm
Anchura: 6.22mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 79ns
Serie: NTD18N06L
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 19ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9.9ns
Peso unitario: 330mg