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Transistor 2N2218A NPN 40V 800mA 800mW TO-39. Equivalentes: 2N3020, 2N3108, 2N3110, 2N3439, 2N3440, 2N4031, 2N4239, 2N5320, 2N5321, 2N5335, 2N5336, 2SC108A, 2SC510, 2SC512, BC141, BC441, NTE396. Complementario: 2N2904A.
Fabricante: Central Semiconductor, Multicomp, Microchip Technology, Texas Instruments
Categoria: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de proposito general y conmutacion
Subcategoria: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N2218A PBFREE, PN2218A (version TO-92)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines)
Tension colector-base maxima (Vcbo): 75V
Tension colector-emisor maxima (Vceo): 40V
Tension emisor-base maxima (Vebo): 6V
Corriente de colector maxima (Ic): 800mA
Potencia de disipacion maxima (Pc): 800mW (3W con disipador adecuado en algunas versiones)
Tension de saturacion colector-emisor (Vce(sat)): 1V max @ Ic=500mA, Ib=50mA
Ganancia de corriente (hFE): 40 a 120 @ Ic=150mA, Vce=10V
Frecuencia de transicion (ft): 250MHz
Corriente de fuga colector (Icbo): 10nA max @ Vcb=50V
Tiempo de caida (tf): 60ns (tip)
Temperatura de operacion (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicacion principal: Amplificadores de RF, conmutacion de alta velocidad, aplicaciones militares y aeroespaciales, circuitos de proposito general
Pais de origen: US (varia segun fabricante)
Peso unitario: 1.5g (aprox)
Categoria: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de proposito general y conmutacion
Subcategoria: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N2218A PBFREE, PN2218A (version TO-92)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines)
Tension colector-base maxima (Vcbo): 75V
Tension colector-emisor maxima (Vceo): 40V
Tension emisor-base maxima (Vebo): 6V
Corriente de colector maxima (Ic): 800mA
Potencia de disipacion maxima (Pc): 800mW (3W con disipador adecuado en algunas versiones)
Tension de saturacion colector-emisor (Vce(sat)): 1V max @ Ic=500mA, Ib=50mA
Ganancia de corriente (hFE): 40 a 120 @ Ic=150mA, Vce=10V
Frecuencia de transicion (ft): 250MHz
Corriente de fuga colector (Icbo): 10nA max @ Vcb=50V
Tiempo de caida (tf): 60ns (tip)
Temperatura de operacion (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicacion principal: Amplificadores de RF, conmutacion de alta velocidad, aplicaciones militares y aeroespaciales, circuitos de proposito general
Pais de origen: US (varia segun fabricante)
Peso unitario: 1.5g (aprox)
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 800mA
- Polaridad del Transistor
- NPN
- Tipo de transistor
- Bipolar
- Encapsulado
- TO-39
- Número de patillas
- 3
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 30V
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