Transistor 2N2219 NPN 30V 800mA 800mW TO-39

Fabricante: ON Semiconductor, Philips, STMicroelectronics, Texas Instruments
Categoria: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de conmutacion de alta velocidad
Subcategoria: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N2219
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines)
Tension colector-base maxima (Vcbo): 75V
Tension colector-emisor maxima (Vceo): 30V (2N2219) / 50V (2N2219A)
Tension emisor-base maxima (Vebo): 6V
Corriente de colector maxima (Ic): 800mA
Potencia de disipacion maxima (Pc): 800mW (3W con disipador adecuado)
Tension de saturacion colector-emisor (Vce(sat)): 1.6V max @ Ib=50mA, Ic=500mA (1V en algunas versiones)
Ganancia de corriente (hFE): 35 a 100 @ Ic=150mA, Vce=10V (min 50 tipico)
Frecuencia de transicion (ft): 250MHz a 300MHz
Corriente de fuga colector (Icbo): 10nA max @ Vcb=50V
Tiempo de encendido (ton): 40ns
Tiempo de apagado (toff): 250ns
Temperatura de operacion (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicacion principal: Conmutacion de alta velocidad, amplificadores RF, circuitos de proposito general, driver de reles y LEDs
Pais de origen: US, CN (varia segun fabricante)
Peso unitario: 1.5g a 4.5g (aprox)