Transistor MJ11033G TO3 .

Transistor MJ11033G PNP Darlington 120V 50A 300W TO-3

TRMJ11033
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9,81 €
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Transistor MJ11033G PNP Darlington 120V 50A 300W TO-3. Equivalentes: BDX66C, MJ11015G, MJ11033. Complementario: MJ11032G (NPN).

 

Fabricante: ON Semiconductor (onsemi) 
Categoría: Dispositivos semiconductores discretos
Tipo de producto: Transistor bipolar de potencia
Subcategoría: Transistor Darlington PNP
Serie: -
Alias de parte: MJ11033G
Tipo: Silicon PNP Darlington Power Transistor 
Configuración: Single 
Tecnología: Silicio con resistencias de polarización integradas 
Montaje: Through Hole 
Encapsulado: TO-204 (TO-3, metal can de 2 pines) 
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -120V 
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -120V 
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V 
Corriente de colector máxima (Ic): -50A 
Corriente de colector pico (Icm): 100A (pulso) 
Potencia de disipación máxima (Pc): 300W 
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 3.5V máx @ 500mA, 50A 
Ganancia de corriente (hFE): 1000 mín @ 25A, 5V; 400 mín @ 50A 
Corriente de fuga colector (Icbo): 2mA máx 
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +200°C 
Aplicación principal: Amplificadores de potencia de audio, fuentes de alimentación conmutadas, reguladores de tensión serie, control de motores, aplicaciones industriales de alta potencia 
País de origen: MX (probable, factoría ON Semi)
Peso unitario: ~12.0g - 13.0g 

Notas importantes:

• El MJ11033G es la versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS del MJ11033 original, fabricado por ON Semiconductor .
• Es un transistor Darlington PNP de alta potencia que integra dos transistores en cascada, proporcionando una ganancia de corriente extremadamente alta (mínimo 1000 @ 25A) .
• Configuración de pines en TO-3 (vista inferior con los pines hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector.
• Incluye protección mediante diodos hasta la corriente nominal de colector y resistencias de polarización base-emisor integradas en su estructura monolítica .
• La capacidad de corriente en pulso puede alcanzar hasta 100A, proporcionando un amplio margen para picos transitorios .
• La temperatura de unión máxima de +200°C permite su uso en entornos exigentes de alta temperatura .
• Requiere un disipador térmico de alta eficiencia para operar cerca de su potencia máxima de 300W.
• El complementario NPN directo es el MJ11032G, formando un par ideal para amplificadores push-pull de alta potencia .
• Estado del producto: Activo (Active), con un lead time estándar de 13 semanas en distribuidores autorizados .
• Aplicaciones típicas: etapas de salida en amplificadores de audio de alta potencia (Hi-Fi), reguladores de tensión serie de alta corriente, control de motores DC, fuentes de alimentación reguladas industriales .
• El BDX66C es un equivalente directo en características, aunque con menor corriente y disipación (16A, 150W) .

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