Your cart
No hay más artículos en su carrito
- Nuevo
Fabricante: Infineon Technologies
Categoría: MOSFET
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Silicio
Tipo: P-Channel Enhancement Mode Single
Configuración: 1 Channel Single
Montaje: SMD/SMT
Encapsulado: DPAK-3 (TO-252-3)
Tensión drenador-fuente (Vds): -100V
Corriente de drenaje continuo (Id): -6.5A
Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 480mOhms
Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): -4V
Carga de compuerta (Qg): 18nC
Disipación de potencia (Pd): 39W
Temperatura operativa: -55°C a +150°C
Peso: 0.33gr
Categoría: MOSFET
Tipo de producto: MOSFETs
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Silicio
Tipo: P-Channel Enhancement Mode Single
Configuración: 1 Channel Single
Montaje: SMD/SMT
Encapsulado: DPAK-3 (TO-252-3)
Tensión drenador-fuente (Vds): -100V
Corriente de drenaje continuo (Id): -6.5A
Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 480mOhms
Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): -4V
Carga de compuerta (Qg): 18nC
Disipación de potencia (Pd): 39W
Temperatura operativa: -55°C a +150°C
Peso: 0.33gr