Fabricante: ON Semiconductor, Multicomp, Solid State Devices
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor Darlington de alta corriente
Subcategoría: Power Darlington Transistor
Serie: MJ11028 - MJ11033
Alias de parte: MJ11032G (versión Pb-Free)
Tipo: Silicon NPN Darlington Power Transistor
Configuración: Single con diodo de protección y resistencia base-emisor integrada
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3 (TO-204AA, TO-204-2, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 120V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 120V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 5V
Corriente de colector máxima (Ic): 50A (continua), 100A (pico)
Corriente de base máxima (Ib): 2A
Potencia de disipación máxima (Pc): 300W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 0.58°C/W a 0.60°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 3.5V máx @ Ic=50A, Ib=500mA
Ganancia de corriente (hFE): 1000 mín @ Ic=25A, Vce=5V; 400 mín @ Ic=50A, Vce=5V
Frecuencia de transición (ft): 30MHz
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 2mA - 5mA máx
Construcción: Monolítica con resistencia shunt base-emisor incorporada y diodo de protección
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores de audio de alta potencia (etapas de salida), reguladores de tensión serie, inversores de potencia, fuentes de alimentación de alta corriente, sistemas de sonido profesionales, equipos de audio para automóviles
País de origen: US, MX (México)
Peso unitario: 12g (aprox)
Notas importantes:
• El MJ11032 es un transistor Darlington de potencia NPN de alta corriente, diseñado específicamente para aplicaciones como dispositivo de salida en amplificadores de propósito general complementarios
• El complementario PNP directo es el MJ11033, formando un par muy popular en amplificadores de audio de alta potencia (como los de 300W) y en etapas de salida de equipos Hi-Fi
• Configuración de pines en TO-3: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector
• La potencia máxima de disipación es de 300W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico de alta eficiencia para alcanzar este valor
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica con el sufijo "G": MJ11032G
• Características destacadas:
• Ganancia de corriente extremadamente alta (hFE mínima de 1000 a 25A), simplificando las etapas de driver
• Construcción monolítica con diodo de protección y resistencia base-emisor shunt integrada
• Curvas de operación segura (SOA) especificadas hasta 100A en pulso
• Temperatura de juntura máxima de +200°C
• El área de operación segura (SOA) está definida por dos limitaciones principales: temperatura promedio de la juntura y ruptura secundaria
• Aplicaciones típicas:
• Amplificadores de audio de alta potencia profesional (etapas de salida)
• Reguladores de tensión serie de alta corriente
• Inversores y convertidores DC-DC de alta potencia
• Equipos de sonido para automóviles
• Sistemas de alimentación industrial
• Nota de seguridad: La selección de componentes originales de fábricas reconocidas (como ON Semiconductor) es crucial para garantizar el rendimiento. Se ha reportado que unidades con marcas como "MEXICO" pueden presentar menor eficiencia en aplicaciones de alta fidelidad
