Fabricante: ROHM Semiconductor, también por ON Semiconductor, NXP, UNISONIC y otros
Categoría: Transistores bipolares digitales
Tipo de producto: Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Subcategoría: PNP Digital Transistor
Serie: DTA114
Alias de parte: DTA114ECA, DTA114EU, DTA114ET, PDTA114ET, DTA114TCA
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar Digital Transistor
Configuración: Single with built-in bias resistors
Tecnología: Silicio
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB, SST3)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -50V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -50V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -100mA
Corriente de salida máxima (Iout): -50mA
Potencia de disipación máxima (Pd): 200mW (ROHM) / 250mW (NXP/ONSEMI)
Resistencia base (R1): 10kΩ
Resistencia emisor-base (R2): 10kΩ
Relación de resistencias (R1/R2): 1
Ganancia de corriente (hFE): 30 mín @ Ic=-5mA, Vce=-5V
Tensión de saturación (Vce(sat)): 150mV máx @ Ib=-500µA, Ic=-10mA
Frecuencia de transición (ft): 180MHz típico
Corriente de fuga colector (Icbo): 1µA máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C
Aplicación principal: Circuitos de conmutación en interfaces y drivers, inversores, control de ICs, reducción de componentes en placa
País de origen: JP (ROHM), CN, MY (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.008g
Clasificación por ganancia (hFE):
• DTA114ECA: hFE = 30 min.
• DTA114YCA: R1=10kΩ, R2=47kΩ, hFE=80 min.
• DTA114WCA: R1=10kΩ, R2=4.7kΩ, hFE=24 min.
• DTA114TCA: R1=10kΩ, R2=∞ (sin R2)
Notas importantes:
• La nomenclatura "DTA114" en SOT-23 corresponde a un transistor digital PNP con resistencias integradas. Los sufijos E, Y, W, T indican diferentes relaciones de resistencias R1/R2, siendo E la versión estándar con R1=R2=10kΩ .
• Configuración de pines en SOT-23 (vista superior con el marcado hacia arriba): Pin 1 = Base (entrada), Pin 2 = Emisor (GND), Pin 3 = Colector (salida) .
• El marcado en el encapsulado varía según fabricante: "E2", "29" o "E" .
• El complementario NPN directo es el DTC114ECA .
• Este componente sustituye a la combinación de un transistor PNP tradicional con dos resistencias externas (10kΩ en base y 10kΩ en emisor), reduciendo componentes y espacio en la placa.
• Para aplicaciones automotrices, está disponible la versión DTA114ECAHZG con certificación AEC-Q101 .
• La potencia de disipación máxima varía según fabricante: ROHM especifica 200mW, mientras que NXP/ON Semiconductor especifican 250mW para sus versiones equivalentes .
• Este transistor se utiliza principalmente en circuitos de conmutación controlados directamente por lógica CMOS/TTL, eliminando la necesidad de resistencias externas.
• Aplicaciones típicas: circuitos de interfaz, inversores para control de LEDs, drivers de baja potencia, reducción de componentes en diseños de alta densidad.
• Estado del producto: Activo y ampliamente disponible en múltiples fabricantes (ROHM, ON Semi, NXP, UNISONIC, RECTRON, MCC).
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