Transistor 2SA1015LT PNP 50V 150mA 200mW SOT-23

Transistor 2SA1015LT PNP 50V 150mA 400mW SOT-23

TR2SA1015LT
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Transistor 2SA1015LT PNP 50V 150mA 400mW 80MHz SOT-23. Equivalentes: 2SA1015LT1, MMBT3906, BC857, BC807, 2SA1162, KTA1504. Complementario: 2SC1815LT.

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Fabricante: ON Semiconductor (original), también disponible en Shandong Yiguang, Unisonic, etc.
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de propósito general para baja frecuencia y bajo ruido
Subcategoría: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2SA1015LT1 (ON Semiconductor), 2SA1015L (Unisonic TO-92)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB, plástico de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -50V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -50V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -150mA
Potencia de disipación máxima (Pd): 400mW (Ta=25°C)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): -0.3V máx @ Ic=-100mA, Ib=-10mA
Ganancia de corriente (hFE): 70 a 400 según clasificación @ Ic=-2mA, Vce=-6V
Frecuencia de transición (ft): 80MHz
Figura de ruido (NF): 0.2dB típico @ f=1kHz, RG=10kO
Capacitancia de salida (Cob): 4pF típico (7pF máx) @ Vcb=-10V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): -0.1µA máx @ Vcb=-50V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +125°C
Aplicación principal: Amplificadores de audio de propósito general, amplificadores de baja frecuencia, etapas de driver, amplificadores de bajo ruido, aplicaciones de conmutación de baja potencia, montaje superficial
País de origen: US (ON Semiconductor), CN, MY, KR (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.008g (aprox)

Clasificación por ganancia (hFE):
• O: hFE = 70 a 140
• Y: hFE = 120 a 240
• GR: hFE = 200 a 400

Marcado en el encapsulado SOT-23:
• Suele marcarse como "BA" o "BA" según fabricante

Versiones equivalentes:
• 2SA1015LT1: Versión original ON Semiconductor (mismo componente)
• 2SA1015L: Versión en TO-92 de Unisonic y otros fabricantes
• MMBT3906: Equivalente SMD con Vceo=-40V
• BC857: Equivalente SMD con Vceo=-45V
• BC807: Equivalente SMD con mayor corriente (-500mA)
• 2SA1162: Versión SOT-23 de Toshiba
• KTA1504: Versión SOT-23 de KEC

Notas importantes:
• El 2SA1015LT es la versión en montaje superficial (SMD) del popular transistor TO-92 2SA1015, diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de baja frecuencia y bajo ruido
• La nomenclatura "LT" en ON Semiconductor indica el formato de embalaje en cinta y carrete (tape & reel) para montaje automático
• Configuración de pines en SOT-23 (vista superior): Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Pin 3 = Colector (verificar con el fabricante específico)
• Estado del producto: Activo (Active) en ON Semiconductor y otros fabricantes asiáticos
• Características destacadas:
• Bajo nivel de ruido: NF = 0.2dB típico
• Excelente linealidad de ganancia hFE
• Alta tensión de ruptura: 50V en un encapsulado SMD pequeño
• El complementario NPN directo es el 2SC1815LT (versión SOT-23)
• Aplicaciones típicas:
• Amplificadores de audio portátiles
• Etapas de entrada y driver en equipos de audio
• Circuitos de conmutación de baja potencia en montaje superficial
• Amplificadores de bajo ruido para instrumentación
• Equipos de electrónica de consumo miniaturizados
• Precaución: La potencia máxima de disipación es de 400mW en SOT-23, inferior a la versión TO-92 (625mW en algunos fabricantes). Asegurar una correcta disipación térmica en la PCB

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
150mA
Polaridad del Transistor
PNP
Potencia de Trabajo
0,2W (200mW)
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
SOT-23
Frecuencia de Trabajo
80MHz
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Superficial
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
50V

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