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Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500V
Id: corriente de drenaje continuo: 14A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 400mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 150nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 190W
Modo canal: Enhancement
Serie: IRFP
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 44ns
Transconductancia directa: mín.: 9.3S
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 47ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 92ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17ns
Peso unitario: 6gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500V
Id: corriente de drenaje continuo: 14A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 400mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 150nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 190W
Modo canal: Enhancement
Serie: IRFP
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 44ns
Transconductancia directa: mín.: 9.3S
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 47ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 92ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17ns
Peso unitario: 6gr