Fabricante: National Semiconductor (Texas Instruments), Central Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de RF
Tipo de producto: Transistor NPN de alta frecuencia para pequeña señal
Subcategoría: RF Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N4292
Tipo: Silicon NPN Bipolar Junction Transistor
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92VAR (TO-92 modificado para aplicaciones RF)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 15V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 30V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 3V
Corriente de colector máxima (Ic): 50mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 200mW
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): No especificada
Ganancia de corriente (hFE): 20 mínimo @ condiciones de prueba especificadas
Frecuencia de transición (ft): 600MHz
Capacitancia de colector (Cc): 2.2pF
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de RF de pequeña señal, osciladores VHF/UHF, circuitos de conmutación de alta frecuencia
País de origen: US (National Semiconductor), varía según fabricante
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N4292 es un transistor NPN de RF diseñado para aplicaciones de alta frecuencia, con una frecuencia de transición de 600MHz que lo hace adecuado para bandas VHF y UHF
• La potencia máxima de disipación es de 200mW, típica para transistores de pequeña señal en encapsulado TO-92
• La variante "TO-92VAR" indica un encapsulado TO-92 modificado, optimizado para aplicaciones de RF donde el acoplamiento capacitivo entre pines puede afectar el rendimiento
• La ganancia de corriente (hFE) mínima es de 20, una característica típica de los transistores de RF que priorizan la velocidad sobre la ganancia en DC
• La capacitancia de colector es extremadamente baja (2.2pF), lo que contribuye a su buen rendimiento en alta frecuencia
• Este dispositivo está etiquetado como incompatible con RoHS debido al uso de terminales de estaño/plomo (Sn/Pb), una característica común en componentes de la era anterior a la directiva RoHS
• Se encuentra en estado obsoleto, aunque puede encontrarse stock remanente en distribuidores especializados o a través de Rochester Electronics
• El número de pieza coincide con la serie 2N429x de Central Semiconductor, que incluye los modelos 2N4292, 2N4293 y 2N4296-2N4299
• Para aplicaciones que requieren mayor potencia, se pueden considerar los equivalentes 2N4296 (1A, 20W) o 2N4297 (1A, 20W), aunque con menor frecuencia de transición
• Nota importante: Este transistor está diseñado para aplicaciones de RF y puede no ser adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia o amplificación de audio de alta corriente
• Existe una versión en encapsulado TO-72 (MRF502) que ofrece características similares con un pinout diferente
