Fabricante: Philips (original), Mistra, otros fabricantes europeos
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de RF
Tipo de producto: Transistor NPN para amplificación de VHF
Subcategoría: Small Signal RF Transistor
Serie: -
Alias de parte: BF207
Descripción: Transistor NPN de silicio para aplicaciones de VHF
Configuración: Single
Tecnología: Silicio (Si-NPN)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-72 (4 pines, metal can)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 30V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 40V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 4V
Corriente de colector máxima (Ic): 25mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 150mW
Ganancia de corriente (hFE): 40 mínimo
Capacitancia de salida (Cc): 0.3pF
Temperatura de operación (Tj): 175°C máximo
Aplicación principal: Amplificación VHF, etapas de FI (frecuencia intermedia), osciladores de alta frecuencia
País de origen: NL (Países Bajos), IT (Italia), DE (Alemania)
Peso unitario: 0.3g (aprox)
Notas importantes:
• El BF207 es un transistor NPN de RF (radiofrecuencia) fabricado originalmente por Philips, diseñado para aplicaciones de amplificación en VHF y etapas de frecuencia intermedia.
• El encapsulado TO-72 es un metal can de 4 pines, característico de los transistores de RF de alta frecuencia de la época.
• La frecuencia de transición es de 200MHz según el datasheet de AllTransistors, aunque algunas fuentes mencionan hasta 600MHz para este tipo de transistores.
• Los equivalentes listados incluyen BF167, BF198, BF225, BF314, BF367, BF496, BF502, BF503, BF596, todos de características similares.
• En algunos circuitos, puede sustituirse por el BF224 o BF2248, que son transistores equivalentes ampliamente disponibles.
• Este transistor fue ampliamente utilizado en equipos de radio y televisión de las décadas de 1970 y 1980, como etapas de FI y VHF.
• Estado del producto: Obsoleto por el fabricante original. Puede encontrarse stock remanente en distribuidores especializados o como componente recuperado de equipos antiguos.
• Se recomienda tener precaución al manipularlo, ya que los transistores TO-72 son sensibles a descargas electrostáticas (ESD) y al calor excesivo durante la soldadura.
