Fabricante: STMicroelectronics, ON Semiconductor, Bourns, Central Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP de potencia para amplificación y conmutación
Subcategoría: Complementary Silicon Power Transistor
Serie: -
Alias de parte: TIP2955G (versión libre de plomo), TIP2955-S (Bourns)
Descripción: Silicon PNP Epitaxial-Base Planar Power Transistor
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-247-3 (también TO-247AC, TO-218 según fabricante)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -60V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -100V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -7V
Corriente de colector máxima (Ic): -15A
Potencia de disipación máxima (Pc): 90W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 3V máx @ Ic=10A, Ib=3.3A
Ganancia de corriente (hFE): 20 mínimo @ Ic=4A, Vce=4V
Frecuencia de transición (ft): 2.5MHz a 3MHz según fabricante
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 700µA máx @ Vcb=70V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de audio de potencia, etapas de salida, reguladores de tensión serie y conmutación, fuentes de alimentación lineales
País de origen: CN, MY, JP (varía según fabricante)
Peso unitario: 4.0g a 5.0g (aprox)
Notas importantes:
• El TIP2955 está diseñado para ser el complementario PNP directo del popular transistor NPN TIP3055, formando un par muy utilizado en amplificadores de potencia de hasta 100W.
• Configuración de pines en TO-247 (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector (conectado a la pestaña metálica), Pin 3 = Emisor.
• El encapsulado TO-247 permite una mejor disipación térmica que el TO-220 tradicional, alcanzando los 90W de potencia máxima con un disipador adecuado.
• La versión TIP2955G (ON Semiconductor) es idéntica eléctricamente pero con certificación RoHS y libre de plomo.
• Existe una versión de Bourns (TIP2955-S) en encapsulado SOT-93 con características equivalentes.
• La potencia máxima de disipación de 90W se alcanza a 25°C de temperatura de case, requiriendo un disipador térmico para aplicaciones cercanas al límite.
• Estado del producto: Activo en STMicroelectronics y Bourns, aunque algunas versiones como la de Central Semiconductor están marcadas como Obsoleto.
• No debe confundirse con el MJ2955, que es funcionalmente equivalente pero utiliza encapsulado TO-3 metálico con mayor disipación (115W).
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