Fabricante: onsemi (anteriormente Fairchild Semiconductor)
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel Logic Level
Subcategoría: Power MOSFET
Serie: -
Alias de parte: RFD3055LE
Tipo: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Configuración: Single with built-in diode
Tecnología: Silicio (DMOS)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: IPAK (TO-251AA, TO-251-3)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 60V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±16V
Corriente de drenador máxima (Id): 11A (Tc=25°C)
Potencia de disipación máxima (Pd): 38W (Tc=25°C)
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 107mΩ máx @ Vgs=5V, Id=8A
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 3V máx @ Id=250µA
Capacitancia de entrada (Ciss): 350pF @ Vds=25V
Carga total de puerta (Qg): 11.3nC @ Vgs=10V
Tiempo de encendido (ton): 8ns (delay) + 105ns (rise)
Tiempo de apagado (toff): 22ns (delay) + 39ns (fall)
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Reguladores conmutados, convertidores DC-DC, drivers de motores, drivers de relés, aplicaciones alimentadas por lógica (nivel lógico)
País de origen: MY (Malasia), CN (varía según lote de fabricación)
Peso unitario: 0.343g
Notas importantes:
• El RFD3055LE es un MOSFET de potencia N-Channel diseñado específicamente para ser accionado directamente por circuitos integrados (logic-level), con una tensión umbral máxima de 3V que permite su uso con control de 5V
• El sufijo "LE" indica "Logic Level" (nivel lógico), diferenciándolo de la versión estándar RFD3055 que requiere mayor tensión de puerta
• Configuración de pines en IPAK (TO-251AA): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source)
• El encapsulado IPAK es la versión through-hole del DPAK, diseñado para montaje en PCB con soldadura por ola
• Estado del producto: Obsoleto (EOL - End of Life). Según DigiKey y Octopart, el componente ha sido descontinuado y se encuentran disponibles últimos envíos
• Versión SMD: Existe la versión en encapsulado DPAK (montaje superficial) bajo la designación RFD3055LESM
• Reemplazos recomendados para nuevos diseños:
• FQU13N06LTU (onsemi) - TO-251, 60V, 12A, 53W, Rds(on)=150mΩ
• STD12NF06L-1 (STMicroelectronics) - IPAK, 60V, 12A, 40W, Rds(on)=150mΩ
• TSM900N06CH (Taiwan Semiconductor) - TO-251, 60V, 12A, 40W, Rds(on)=150mΩ
• Características destacadas:
• Operación con nivel lógico (5V directo desde microcontrolador)
• Alta capacidad de avalancha (UIS Rating)
• Baja capacitancia de entrada (350pF) para alta velocidad de conmutación
• Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia
• Aplicaciones típicas:
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de baja potencia
• Convertidores DC-DC
• Drivers de motores y relés
• Circuitos de control alimentados por lógica TTL o CMOS
• Precaución: Aunque el fabricante onsemi lo listaba como "Active" inicialmente, todos los distribuidores principales confirman su estado Obsoleto. Se recomienda evaluar los reemplazos sugeridos para nuevos diseños
• Certificaciones: El componente cumple con RoHS3 y es libre de plomo (Pb-Free), con terminales de acabado en Matte Tin
