Fabricante: International Rectifier (Infineon), Vishay Siliconix
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel
Subcategoría: Power MOSFET
Serie: HEXFET®
Alias de parte: IRFP460NPBF (versión libre de plomo)
Descripción: MOSFET de potencia N-Channel para conmutación de alta velocidad
Configuración: Single
Tecnología: MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-247AC (TO-247-3)
Tensión drenador-fuente máxima (Vdss): 500V
Corriente de drenador máxima (Id): 20A (Tj=25°C) / 30A (Tj=100°C según versión)
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 0.24O a 0.27O máx @ Vgs=10V
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 2V a 4V @ Id=250µA
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±20V
Potencia de disipación máxima (Pd): 280W (Tc=25°C)
Capacitancia de entrada (Ciss): 2700pF a 3500pF @ Vds=25V
Carga de puerta total (Qg): 140nC a 210nC
Tiempo de subida (tr): 27ns a 50ns
Tiempo de caída (tf): 24ns a 50ns
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, control de motores, inversores, amplificadores de potencia
País de origen: US, CN, MY
Peso unitario: 6.0g (0.211644 oz)
Notas importantes:
• El IRFP460N es un MOSFET de potencia N-Channel de 500V y 20A, fabricado por International Rectifier (ahora Infineon) y también por Vishay Siliconix, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en fuentes de alimentación y control de motores.
• Existe una versión mejorada IRFP460A con la misma tensión (500V), pero mayor corriente (30A), menor resistencia en conducción (0.22O-0.27O) y más rápida que el IRFP460N.
• El sufijo "PBF" (IRFP460NPBF) indica la versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS; la versión estándar contiene plomo y no es RoHS.
• Equivalentes directos y alternativas disponibles según stock:
• STW20NM50FD (STMicroelectronics) - equivalente directo listado.
• IPW50R250CP (Infineon) - alternativa similar, 500V, 21A, 250mO, TO-247.
• SPW20N60C3 (Infineon) - alternativa con mayor tensión (600V).
• IXFH22N50P (IXYS) - alternativa similar con 22A, 500V, TO-247.
• Configuración de pines en TO-247AC (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source). La pestaña metálica está conectada internamente al drenador.
• La potencia máxima de disipación de 280W se alcanza a 25°C de temperatura de case, requiriendo un disipador térmico adecuado para aplicaciones cercanas al límite.
• El IRFP460 (sin la N) es la versión original, ahora obsoleta. El IRFP460PBF de Vishay es un reemplazo directo listado como sustituto.
• Estado del producto: El IRFP460 (versión base) está oficialmente Obsoleto en múltiples distribuidores, pero el IRFP460N permanece en stock disponible, aunque algunos fabricantes lo listan como "No recomendado para nuevos diseños".
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 20A
- Polaridad del Transistor
- Canal N
- Potencia de Trabajo
- 280W
- Tipo de transistor
- MOSFET
- Encapsulado
- TO-247
- Número de patillas
- 3
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 500V