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Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Silicio
Serie: MJ2955
Tipo: PNP
Configuración: Single
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-204-2 (TO-3)
Corriente del colector DC máxima (Ic): -15A
Voltaje colector-emisor (Vceo): -60V
Voltaje colector-base (Vcbo): -100V
Voltaje emisor-base (Vebo): -7V
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce(sat)): -1.1V máx @ Ic=4A
Ganancia de corriente DC (hFE): 20-70 @ Ic=4A, Vce=4V
Frecuencia de transición (fT): 2.5MHz
Disipación de potencia (Pd): 115W
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Corriente de base (Ib): 7A
Voltaje colector-emisor (Vcer): -70V
País de origen: MX
Peso: 12g
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Silicio
Serie: MJ2955
Tipo: PNP
Configuración: Single
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-204-2 (TO-3)
Corriente del colector DC máxima (Ic): -15A
Voltaje colector-emisor (Vceo): -60V
Voltaje colector-base (Vcbo): -100V
Voltaje emisor-base (Vebo): -7V
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce(sat)): -1.1V máx @ Ic=4A
Ganancia de corriente DC (hFE): 20-70 @ Ic=4A, Vce=4V
Frecuencia de transición (fT): 2.5MHz
Disipación de potencia (Pd): 115W
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Corriente de base (Ib): 7A
Voltaje colector-emisor (Vcer): -70V
País de origen: MX
Peso: 12g
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 15A
- Polaridad del Transistor
- PNP
- Potencia de Trabajo
- 115W
- Tipo de transistor
- Bipolar
- Encapsulado
- TO-3
- Número de patillas
- 2
- Tipo de montaje
- Panel
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 60V
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