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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V
Id: corriente de drenaje continuo: 20.7A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 190mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1V
Qg (carga de compuertas): 87nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 208W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: CoolMOS
Serie: CoolMOS C3
Empaquetado: Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.5 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 5ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 67ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 10ns
Altura: 21.1mm
Longitud: 16.13mm
Anchura: 5.21mm
Alias de parte #: SP000013729, SPW2N6C3XK, SPW20N60C3FKSA1
Peso unitario: 6gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V
Id: corriente de drenaje continuo: 20.7A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 190mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1V
Qg (carga de compuertas): 87nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 208W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: CoolMOS
Serie: CoolMOS C3
Empaquetado: Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.5 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 5ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 67ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 10ns
Altura: 21.1mm
Longitud: 16.13mm
Anchura: 5.21mm
Alias de parte #: SP000013729, SPW2N6C3XK, SPW20N60C3FKSA1
Peso unitario: 6gr
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 20,7A
- Polaridad del Transistor
- Canal N
- Potencia de Trabajo
- 208W
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Tipo de transistor
- MOSFET
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 650V
- Encapsulado
- TO-247
- Número de patillas
- 3
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