Transistor SPW20N60C3 MOSFET-N 650V 20,7A 208W TO-247

Transistor SPW20N60C3 MOSFET-N 650V 20,7A 208W TO-247

TRSPW20N60C3
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Transistor SPW20N60C3 MOSFET-N 650V 20,7A 208W TO-247 (20N60C3)
 
Fabricante: Infineon 
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: Through Hole 
Empaquetado / Estuche: TO-247-3 
Polaridad de transistor: N-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V 
Id: corriente de drenaje continuo: 20.7A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 190mOhms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V 
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1V 
Qg (carga de compuertas): 87nC 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +150ºC 
Pd (disipación de potencia): 208W 
Modo canal: Enhancement 
Nombre comercial: CoolMOS 
Serie: CoolMOS C3 
Empaquetado: Tube 
Marca: Infineon Technologies 
Configuración: Single 
Tiempo de caída: 4.5 ns 
Tipo de producto: MOSFET 
Tiempo de establecimiento: 5ns 
Subcategoría: MOSFETs 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Tiempo típico de retraso de apagado: 67ns 
Tiempo de retardo de conexión típico: 10ns 
Altura: 21.1mm 
Longitud: 16.13mm 
Anchura: 5.21mm 
Alias de parte #: SP000013729, SPW2N6C3XK, SPW20N60C3FKSA1 
Peso unitario: 6gr
Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
20,7A
Polaridad del Transistor
Canal N
Potencia de Trabajo
208W
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Tipo de transistor
MOSFET
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
650V
Encapsulado
TO-247
Número de patillas
3

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