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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión separación drenador-fuente: 30V
Id - Corriente de drenaje continuo: 70A
Rds encendido - Resistencia drenaje-fuente: 3.5mO
Vgs - Tensión compuerta-fuente: -20V, +20V
Vgs th - Tensión umbral compuerta-fuente: 1V
Qg - Carga de compuertas: 18nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd - Disipación de potencia: 79W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: OptiMOS
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.4ns
Transconductancia directa - mín.: 44S
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5.6ns
Serie: OptiMOS 3
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 28ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 7.4ns
Alias de parte #: SP000680792 IPP42N3LGXK IPP042N03LGXKSA1
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión separación drenador-fuente: 30V
Id - Corriente de drenaje continuo: 70A
Rds encendido - Resistencia drenaje-fuente: 3.5mO
Vgs - Tensión compuerta-fuente: -20V, +20V
Vgs th - Tensión umbral compuerta-fuente: 1V
Qg - Carga de compuertas: 18nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd - Disipación de potencia: 79W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: OptiMOS
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.4ns
Transconductancia directa - mín.: 44S
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5.6ns
Serie: OptiMOS 3
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 28ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 7.4ns
Alias de parte #: SP000680792 IPP42N3LGXK IPP042N03LGXKSA1
Peso unitario: 2gr
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 70A
- Polaridad del Transistor
- Canal N
- Potencia de Trabajo
- 79W
- Tipo de transistor
- MOSFET
- Encapsulado
- TO-220
- Número de patillas
- 3
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 30V