Transistor IPP042N03LG MOSFET-N 30V 70A 79W TO-220

Transistor IPP042N03LG MOSFET-N 30V 70A 79W TO-220

TRIPP042N03
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Transistor IPP042N03LG MOSFET Canal-N 30V 70A 79W TO-220 (042N03L)
 
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión separación drenador-fuente: 30V
Id - Corriente de drenaje continuo: 70A
Rds encendido - Resistencia drenaje-fuente: 3.5mO
Vgs - Tensión compuerta-fuente: -20V, +20V
Vgs th - Tensión umbral compuerta-fuente: 1V
Qg - Carga de compuertas: 18nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd - Disipación de potencia: 79W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: OptiMOS
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.4ns
Transconductancia directa - mín.: 44S
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5.6ns
Serie: OptiMOS 3
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 28ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 7.4ns
Alias de parte #: SP000680792 IPP42N3LGXK IPP042N03LGXKSA1
Peso unitario: 2gr
Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
70A
Polaridad del Transistor
Canal N
Potencia de Trabajo
79W
Tipo de transistor
MOSFET
Encapsulado
TO-220
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
30V

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