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Fabricante: onsemi/Fairchild
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 100V
Id: corriente de drenaje continuo: 14A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 110mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V
Qg (carga de compuertas): 27nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 55W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 36ns
Transconductancia delantera: mín.: 0.007S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 14ns
Serie: IRF530A
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 55ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13ns
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Alias de parte #: IRF530A_NL
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 100V
Id: corriente de drenaje continuo: 14A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 110mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V
Qg (carga de compuertas): 27nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 55W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 36ns
Transconductancia delantera: mín.: 0.007S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 14ns
Serie: IRF530A
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 55ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13ns
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Alias de parte #: IRF530A_NL
Peso unitario: 2gr
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 14A
- Polaridad del Transistor
- Canal N
- Potencia de Trabajo
- 88W
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Tipo de transistor
- MOSFET
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 100V
- Encapsulado
- TO-220
- Número de patillas
- 3