Fabricante: Vishay Semiconductor Opto Division
Categoría: Aisladores
Tipo de producto: Optoacoplador con salida de transistor
Subcategoría: Transistor Output Optocoupler
Serie: TCDT1100(G)
Alias de parte: TCDT1102G
Tipo: Optoacoplador con fototransistor
Configuración: 1 canal (Single Channel)
Tecnología: LED GaAs (infrarrojo) + fototransistor
Montaje: Through Hole
Encapsulado: DIP-6 (6-DIP, 0.400", 10.16mm)
Tensión de aislamiento (Viso): 5000Vrms
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 32V
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 300mV máx
Corriente máxima de salida (Ic): 50mA
Corriente directa máxima del LED (If): 60mA
Tensión directa del LED (Vf): 1.25V típico
Rango de Current Transfer Ratio (CTR): 63% - 125% @ If=10mA
Tiempo de encendido/apagado (ton/toff): 11µs / 7µs típico
Tiempo de subida/bajada (tr/tf): 7µs / 6.7µs típico
Potencia de disipación total (Pd): 250mW
Temperatura de operación (Top): -55°C a +110°C
Temperatura de almacenamiento (Tstg): -55°C a +150°C (estimado)
Aplicación principal: Aislamiento galvánico en fuentes conmutadas (SMPS), interfaces de microcontroladores, sistemas de automatización industrial, transmisión de señales digitales en entornos ruidosos, circuitos de protección "safe protective separation" según seguridad clase II
País de origen: No especificado (Vishay)
Peso unitario: ~1g (aprox)
Notas importantes:
• El TCDT1102G pertenece a la serie TCDT1100(G) de Vishay, que consiste en un fototransistor acoplado ópticamente a un diodo emisor de infrarrojo (GaAs) en un encapsulado DIP de 6 pines .
• La clasificación "G" indica que el dispositivo es conforme a RoHS (libre de plomo) .
• El Current Transfer Ratio (CTR) es la relación entre la corriente de salida del fototransistor y la corriente de entrada del LED. Para este modelo, el CTR mínimo es del 63% y máximo del 125% con una corriente de entrada de 10mA .
• El alto voltaje de aislamiento de 5000Vrms proporciona una excelente protección contra descargas eléctricas, cumpliendo con los estándares de seguridad para aislamiento reforzado en electrónica de consumo e industrial .
• Configuración de pines en el DIP-6 (vista superior con la muesca hacia la izquierda): Pin 1 = Ánodo del LED, Pin 2 = Cátodo del LED, Pin 3 = No conectado, Pin 4 = Emisor del transistor, Pin 5 = Colector del transistor, Pin 6 = Base del transistor (acceso a la base del fototransistor, normalmente se deja sin conectar para funcionamiento estándar) .
• La versión TCDT1101 es una alternativa con un rango de CTR diferente (40-120%) . El TCDT1102G ofrece un rango de CTR más alto, lo que lo hace más eficiente en aplicaciones con baja corriente de entrada.
• Aplicaciones típicas de esta serie: circuitos de aislamiento para protección contra choques eléctricos según la clase de seguridad II (aislamiento reforzado) .
• Estado del producto: "Not Recommended for New Design" según algunas fuentes , pero sigue ampliamente disponible en stock y con un lead time de 14 semanas .
• Precaución: Al diseñar circuitos, se debe respetar la distancia de fuga (creepage distance) indicada en el datasheet (CTI = 275) para mantener el aislamiento especificado .
• El encapsulado tiene un paso (row spacing) de 10.16mm, característico de los DIP de alta tensión de aislamiento .
