Fototransistor BPX43 fototransistor DIP3

Fabricante: ams OSRAM 
Categoría de producto: Fototransistores 
Producto: Phototransistors 
Empaquetado / Estuche: TO-18 
Estilo de montaje: Through Hole 
Longitud de onda pico: 880nm 
Corriente máxima del colector en estado de conducción: 50mA 
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 50V 
Voltaje de disrupción colector-emisor: 50V 
Voltaje de saturación colector-emisor: - 
Corriente oscura: 20nA 
Tiempo de establecimiento: - 
Tiempo de caída: - 
Pd (disipación de potencia): 220mW 
Temperatura operativa mínima: -40ºC 
Temperatura operativa máxima: +125ºC 
Cualificación: AEC-Q100 
Marca: ams OSRAM 
Grados de ángulo de intensidad media: 15º 
Color/estilo de la lente: Clear 
Electricidad: 800uA 
Corriente de salida: - 
Tipo de producto: Phototransistors 
Retardo de propagación (máx.): - 
Subcategoría: Optical Detectors & Sensors 
Tipo: Silicon NPN Phototransistor 
Longitud de onda: 880nm 
Altura: 6.2mm 
Longitud: 5.6mm 
Anchura: 5.6mm 
Alias de parte #: Q62702P0016 
Peso unitario: 300mg