Fabricante: Infineon Technologies (originalmente International Rectifier - IRF)
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel
Subcategoría: HEXFET® Power MOSFET
Serie: HEXFET®
Alias de parte: IRF2807PBF
Tipo: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Configuración: Single
Tecnología: Silicio (HEXFET®)
Montaje: Through Hole (THT)
Encapsulado: TO-220AB (TO-220-3)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 75V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±20V
Corriente de drenador máxima (Id): 82A
Corriente de drenador pulsada (Idm): 280A
Potencia de disipación máxima (Pd): 200W
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 13mO @ Vgs=10V, Id=43A
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 2V a 4V @ Id=250µA
Carga de puerta total (Qg): 106.7nC a 160nC @ Vgs=10V
Capacitancia de entrada (Ciss): 3820pF @ Vds=25V
Capacitancia de salida (Coss): 610pF
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 130pF
Tiempo de subida (tr): 64ns
Tiempo de caída (tf): 48ns
Tiempo de retardo de apagado (td(off)): 49ns
Energía de avalancha (Eas): 120mJ
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC de alta eficiencia, drivers de motores de alta corriente, sistemas de gestión de baterías, aplicaciones automotrices de alta potencia
País de origen: CN (China). Infineon fabrica este modelo principalmente en China .
Peso unitario: 2.01g
Notas importantes:
• El IRF2807PBF utiliza la tecnología avanzada HEXFET® de International Rectifier (ahora Infineon), que proporciona bajas pérdidas de conmutación y una alta capacidad de manejo de corriente en un encapsulado TO-220 estándar .
• El sufijo "PBF" en el número de pieza indica que es la versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con la directiva RoHS .
• Este MOSFET presenta una resistencia Rds(on) extremadamente baja de 13mO, lo que minimiza las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia energética en aplicaciones de alta corriente .
• Configuración de pines en TO-220AB (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source). El pin 4 (opcional) también está conectado al drenador y puede dejarse sin conectar .
• La alta capacidad de corriente de hasta 82A lo hace ideal para aplicaciones que requieren manejo de grandes cargas, como motor drives y fuentes de alimentación de alta potencia .
• El dispositivo ha sido calificado originalmente para el mercado automotriz según los estándares Q101, garantizando alta confiabilidad en entornos exigentes .
• Infineon Technologies califica este componente como "Activo" (Active), con plazos de entrega de 3 a 15 días .
• La alternativa VBM1808 de VBsemi ofrece una mejora significativa en parámetros clave (80V/100A/7mO) y puede considerarse para nuevos diseños que requieran mayor capacidad de corriente y menores pérdidas
