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Fabricante: Panasonic
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistores NPN de alta tensión
Subcategoría: Transistores de conmutación
Serie: -
Alias de parte: 2SC5936
Tipo: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3P (TO-3PF, TOP-3E-A1)
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 1500V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 700V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 7V
Corriente de colector máxima (Ic): 9A
Corriente de base máxima (Ib): 3A
Potencia de disipación máxima (Pc): 45W (Tc=25ºC)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2.5V máx @ Ic=4A, Ib=0.8A
Ganancia de corriente (hFE): 5 a 60 @ Ic=4A, Vce=5V
Frecuencia de transición (ft): 6MHz
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55ºC a +150ºC
País de origen: JP
Peso unitario: 4.5g (aprox)
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistores NPN de alta tensión
Subcategoría: Transistores de conmutación
Serie: -
Alias de parte: 2SC5936
Tipo: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3P (TO-3PF, TOP-3E-A1)
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 1500V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 700V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 7V
Corriente de colector máxima (Ic): 9A
Corriente de base máxima (Ib): 3A
Potencia de disipación máxima (Pc): 45W (Tc=25ºC)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2.5V máx @ Ic=4A, Ib=0.8A
Ganancia de corriente (hFE): 5 a 60 @ Ic=4A, Vce=5V
Frecuencia de transición (ft): 6MHz
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55ºC a +150ºC
País de origen: JP
Peso unitario: 4.5g (aprox)