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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: SMD/SMT
Empaquetado / Estuche: TO-252-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 150V
Id: corriente de drenaje continuo: 33A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 34.5mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 1.8V
Qg (carga de compuertas): 26nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 144W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFET
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Altura: 2.3mm
Longitud: 6.5mm
Anchura: 6.22mm
Peso unitario: 330mg
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: SMD/SMT
Empaquetado / Estuche: TO-252-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 150V
Id: corriente de drenaje continuo: 33A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 34.5mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 1.8V
Qg (carga de compuertas): 26nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 144W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFET
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Altura: 2.3mm
Longitud: 6.5mm
Anchura: 6.22mm
Peso unitario: 330mg